Transistor bipolaire MJ1000
Caractéristiques électriques du transistor MJ1000
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 8 A
- Dissipation de puissance maximum: 90 W
- Gain de courant (hfe): 1000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du MJ1000
Complémentaire du transistor MJ1000
Substituts et équivalents pour le transistor MJ1000
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