Transistor bipolaire BDX66C

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -16 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDX66C est le BDX67C.Vous pouvez remplacer le transistor BDX66C par BDX68C, MJ11015, MJ11015G, MJ11033 ou MJ11033G.