Bipolartransistor BDX66

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX66

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX66

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDX66 ist der BDX67.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX66

Sie können den Transistor BDX66 durch einen BDX66A, BDX66B, BDX66C, BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C, MJ11011, MJ11011G, MJ11013, MJ11013G, MJ11015, MJ11015G, MJ11029, MJ11029G, MJ11031, MJ11031G, MJ11033, MJ11033G, MJ4030, MJ4031 oder MJ4032 ersetzen.
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