Bipolartransistor 2SA747A
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA747A
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -140 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SA747A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA747A-Transistor könnte nur mit "
A747A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum 2SA747A ist der
2SC1116A.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA747A
Sie können den Transistor 2SA747A durch einen
2SA1007A,
2SA1007A-Q,
2SA1007A-R,
2SA1007A-S,
2SA1007A-p,
2SA1072A,
2SA1073,
2SA908,
2SA909,
2SB552-R,
2SB554,
2SB554-O,
2SB554-R,
2SB555,
2SB555-O,
2SB555-R,
2SB600,
2SB600-Q,
2SB600-R,
2SB600-S,
2SB697,
2SB697-C,
2SB697-D,
2SB697-E,
2SB697-F,
2SB697K,
2SB697K-C,
2SB697K-D,
2SB697K-E,
2SB697K-F,
2SB705,
2SB705-Q,
2SB705-R,
2SB705-S,
2SB705A,
2SB705A-Q,
2SB705A-R,
2SB705A-S,
2SB705B,
2SB705B-Q,
2SB705B-R,
2SB705B-S,
2SB706,
2SB706-Q,
2SB706-R,
2SB706-S,
2SB706A,
2SB706A-Q,
2SB706A-R,
2SB706A-S,
2SB722,
2SB723,
2SB723-A,
2SB723-B,
2SB723-C,
MJ11017,
MJ11019,
MJ11021 oder
MJ11021G ersetzen.
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