Bipolartransistor 2SB706A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB706A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -220 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -220 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SB706A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB706A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB706A liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB706A-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB706A-S im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB706A-Q-Transistor könnte nur mit "B706A-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB706A-Q ist der 2SD746A-Q.
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