Bipolartransistor MJ11021G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11021G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der MJ11021G ist die bleifreie Version des MJ11021-Transistors

Pinbelegung des MJ11021G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11021G ist der MJ11022G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11021G

Sie können den Transistor MJ11021G durch einen MJ11021 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com