Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB705B-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
Verlustleistung, max: 120 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 17 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SB705B-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB705B-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB705B liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB705B-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB705B-S im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB705B-Q-Transistor könnte nur mit "B705B-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB705B-Q ist der 2SD745B-Q.
