Bipolartransistor 2SB705B-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB705B-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 17 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SB705B-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB705B-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB705B liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB705B-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB705B-S im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB705B-Q-Transistor könnte nur mit "B705B-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB705B-Q ist der 2SD745B-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB705B-Q

Sie können den Transistor 2SB705B-Q durch einen 2SA1073, 2SA909, 2SB600, 2SB600-Q, 2SB697K, 2SB697K-E, 2SB706, 2SB706-Q, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB722, 2SB723 oder 2SB723-C ersetzen.
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