Bipolartransistor 2SA1007A-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1007A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1007A liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1007A-p im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1007A-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1007A-S im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1007A-R-Transistor könnte nur mit "A1007A-R" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SA1007A-R durch einen 2SA1072A, 2SA1073, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB600, 2SB600-R, 2SB697K, 2SB697K-D, 2SB705A, 2SB705A-R, 2SB705B, 2SB705B-R, 2SB706, 2SB706-R, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB722, 2SB723, 2SB723-B, MJ15012 oder MJ15012G ersetzen.