Bipolartransistor MJ11017

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 175 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400 bis 15000
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11017 ist der MJ11018.Sie können den Transistor MJ11017 durch einen 2SA908, 2SA909, 2SB722, MJ11019, MJ11021 oder MJ11021G ersetzen.