Bipolartransistor 2SB697

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB697

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -40 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SB697

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB697 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB697-C liegt im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB697-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB697-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB697-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB697-Transistor könnte nur mit "B697" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB697 ist der 2SD733.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB697

Sie können den Transistor 2SB697 durch einen 2SA908, 2SA909 oder 2SB697K ersetzen.
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