Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB706-S
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SB706-S
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB706-S kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB706 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB706-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB706-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB706-S-Transistor könnte nur mit "B706-S" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB706-S ist der 2SD746-S.
