Bipolartransistor 2SB706-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB706-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SB706-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB706-S kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB706 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB706-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB706-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB706-S-Transistor könnte nur mit "B706-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB706-S ist der 2SD746-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB706-S

Sie können den Transistor 2SB706-S durch einen 2SA909, 2SB552, 2SB552-R, 2SB554, 2SB554-R, 2SB600, 2SB600-S, 2SB706A, 2SB706A-S, 2SB723, MJ15012 oder MJ15012G ersetzen.
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