Bipolartransistor 2SB554-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB554-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SB554-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB554-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB554 liegt im Bereich von 40 bis 140, die des 2SB554-O im Bereich von 70 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB554-R-Transistor könnte nur mit "B554-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB554-R ist der 2SD424-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB554-R

Sie können den Transistor 2SB554-R durch einen 2SA909, 2SB552, 2SB552-R oder 2SB723 ersetzen.
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