Bipolartransistor MJ11021
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11021
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -50 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
- Verlustleistung, max: 175 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des MJ11021
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11021
Bleifreie Version
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com