Bipolartransistor 2SB697K-C

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB697K-C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -40 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SB697K-C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB697K-C kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB697K liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB697K-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB697K-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB697K-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB697K-C-Transistor könnte nur mit "B697K-C" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB697K-C ist der 2SD733K-C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB697K-C

Sie können den Transistor 2SB697K-C durch einen 2SA909, 2SB552, 2SB552-R, 2SB554, 2SB554-R oder 2SB723 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com