Bipolartransistor MJ11019

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11019

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ11019

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJ11019 ist der MJ11020.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11019

Sie können den Transistor MJ11019 durch einen 2SA909, MJ11021 oder MJ11021G ersetzen.
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