Transistor bipolaire 2SB1123-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1123-S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 140 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB1123-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1123-S peut avoir un gain en courant continu de 140 à 280. Le gain en courant continu du 2SB1123 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1123-R entre 100 à 200, celui du 2SB1123-T entre 200 à 400, celui du 2SB1123-U entre 280 à 560.

Marquage

Le transistor 2SB1123-S est marqué "BFS".

Complémentaire du transistor 2SB1123-S

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1123-S est le 2SD1623-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1123-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1123-S par 2SB1124, 2SB1124-S ou 2STF2550.
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