Transistor bipolaire 2SB1123-T

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1123-T

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB1123-T

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1123-T peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1123 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1123-R entre 100 à 200, celui du 2SB1123-S entre 140 à 280, celui du 2SB1123-U entre 280 à 560.

Marquage

Le transistor 2SB1123-T est marqué "BFT".

Complémentaire du transistor 2SB1123-T

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1123-T est le 2SD1623-T.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1123-T

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1123-T par 2SB1124, 2SB1124-T ou 2STF2360.
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