Transistor bipolaire 2SB1123

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1123

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 560
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB1123

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1123 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 560. Le gain en courant continu du 2SB1123-R est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1123-S entre 140 à 280, celui du 2SB1123-T entre 200 à 400, celui du 2SB1123-U entre 280 à 560.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1123 peut n'être marqué que B1123.

Complémentaire du transistor 2SB1123

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1123 est le 2SD1623.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1123

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1123 par 2SB1124.
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