Transistor bipolaire 2SB1123-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1123-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1123 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1123-S entre 140 à 280, celui du 2SB1123-T entre 200 à 400, celui du 2SB1123-U entre 280 à 560.Le transistor 2SB1123-R est marqué "BFR".Le transistor NPN complémentaire du 2SB1123-R est le 2SD1623-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1123-R par 2DA1213, 2SA1213, 2SB1124 ou 2SB1124-R.