Transistor bipolaire KTB772-O

Caractéristiques électriques du transistor KTB772-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772O transistor

Brochage du KTB772-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB772-O peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KTB772 est compris entre 100 à 400, celui du KTB772-GR entre 200 à 400, celui du KTB772-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KTB772-O

Le transistor NPN complémentaire du KTB772-O est le KTD882-O.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB772-O

Vous pouvez remplacer le transistor KTB772-O par 2SA1217, 2SA1359, 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB743, 2SB743-Q, 2SB744, 2SB744-O, 2SB744A, 2SB744A-O, 2SB772, 2SB772O, 2SB772Q, 2SB986, 2SB986-R, BD132, BD176, BD176-16, BD178, BD186, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744-O, KSB744A, KSB744A-O, KSB772, KSB772-O, KSE170, KSE171, KSH772, KSH772-O, KTA1705, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE232, MJE233, MJE235 ou MJE370.
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