Transistor bipolaire MJE170G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 250
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE170G par BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 ou MJE252.