Transistor bipolaire MJE170

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
• Gain de courant (h_fe): 50 à 250
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE170 est le MJE180.Vous pouvez remplacer le transistor MJE170 par BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 ou MJE252.