Transistor bipolaire 2SB986-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB986-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB986-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB986-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB986 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB986-S entre 140 à 280, celui du 2SB986-T entre 200 à 400, celui du 2SB986-U entre 280 à 560.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB986-R peut n'être marqué que B986-R.

Complémentaire du transistor 2SB986-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB986-R est le 2SD1348-R.

Version SMD du transistor 2SB986-R

Le 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-R (SOT-89), 2SB1124 (SOT-89), 2SB1124-R (SOT-89) et BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB986-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB986-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB986-R par 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB1168, 2SB1168-R, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252 ou MJE254.
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