Transistor bipolaire 2SB772

Caractéristiques électriques du transistor 2SB772

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB772

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB772 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 400. Le gain en courant continu du 2SB772E est compris entre 200 à 400, celui du 2SB772GR entre 200 à 400, celui du 2SB772O entre 100 à 200, celui du 2SB772P entre 160 à 320, celui du 2SB772Q entre 100 à 200, celui du 2SB772R entre 60 à 120, celui du 2SB772Y entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB772 peut n'être marqué que B772.

Complémentaire du transistor 2SB772

Le transistor NPN complémentaire du 2SB772 est le 2SD882.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB772

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB772 par BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSH772, MJE232, MJE235 ou MJE370.
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