Transistor bipolaire 2SB1166-R

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 130 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1166-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1166 est compris entre 70 à 400, celui du 2SB1166-Q entre 70 à 140, celui du 2SB1166-S entre 140 à 280, celui du 2SB1166-T entre 200 à 400.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1166-R peut n'être marqué que B1166-R.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1166-R est le 2SD1723-R.