Transistor bipolaire KSE170

Caractéristiques électriques du transistor KSE170

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE170 transistor

Brochage du KSE170

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor KSE170

Le transistor NPN complémentaire du KSE170 est le KSE180.

Substituts et équivalents pour le transistor KSE170

Vous pouvez remplacer le transistor KSE170 par BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSE171, KSE172, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 ou MJE252.
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