Transistor bipolaire MJE171

Caractéristiques électriques du transistor MJE171

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du MJE171

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJE171

Le transistor NPN complémentaire du MJE171 est le MJE181.

Substituts et équivalents pour le transistor MJE171

Vous pouvez remplacer le transistor MJE171 par BD178, BD180, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSE171, KSE172, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE235, MJE252 ou MJE254.
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