Transistor bipolaire 2SB744-O

Caractéristiques électriques du transistor 2SB744-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 45 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB744-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB744-O peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB744 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB744-R entre 60 à 120, celui du 2SB744-Y entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB744-O peut n'être marqué que B744-O.

Complémentaire du transistor 2SB744-O

Le transistor NPN complémentaire du 2SB744-O est le 2SD794-O.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB744-O

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB744-O par 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB744A, 2SB744A-O, 2SB986, 2SB986-R, BD132, BD176, BD176-16, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744-O, KSB744A, KSB744A-O, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250 ou MJE252.
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