Transistor bipolaire BD788G
Caractéristiques électriques du transistor BD788G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -4 A
- Dissipation de puissance maximum: 15 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 250
- Fréquence de transition minimum: 50 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du BD788G
Substituts et équivalents pour le transistor BD788G
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