Transistor bipolaire KSD569-R

Caractéristiques électriques du transistor KSD569-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD569-M transistor

Brochage du KSD569-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD569-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du KSD569 est compris entre 40 à 200, celui du KSD569-O entre 60 à 120, celui du KSD569-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KSD569-R

Le transistor PNP complémentaire du KSD569-R est le KSB708-R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD569-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSD569-R par 2N6100, 2N6101, 2N6131, 2N6488, 2N6488G, 2SC2334, 2SC2334M, 2SD569, 2SD569-M, BD537, BD537K, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, KSC2334, KSC2334R, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF3055 ou MJF3055G.
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