Caractéristiques électriques du transistor 2SD569-M
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 7 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 40 à 80
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD569-M
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD569-M peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SD569 est compris entre 40 à 200, celui du 2SD569-K entre 100 à 200, celui du 2SD569-L entre 60 à 120.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD569-M peut n'être marqué que D569-M.
Complémentaire du transistor 2SD569-M
Le transistor PNP complémentaire du 2SD569-M est le 2SB708-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD569-M