Transistor bipolaire KSB986

Caractéristiques électriques du transistor KSB986

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 30000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD986 transistor

Brochage du KSB986

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB986 peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 30000. Le gain en courant continu du KSB986-O est compris entre 4000 à 10000, celui du KSB986-R entre 2000 à 5000, celui du KSB986-Y entre 8000 à 30000.

Complémentaire du transistor KSB986

Le transistor PNP complémentaire du KSB986 est le KSB795.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB986

Vous pouvez remplacer le transistor KSB986 par 2SD1509, 2SD986, BD169, BD237, BD237G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE722, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.
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