Transistor bipolaire 2SB795

Caractéristiques électriques du transistor 2SB795

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 30000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB795

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB795 peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB795-K est compris entre 8000 à 30000, celui du 2SB795-L entre 4000 à 10000, celui du 2SB795-M entre 2000 à 5000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB795 peut n'être marqué que B795.

Complémentaire du transistor 2SB795

Le transistor NPN complémentaire du 2SB795 est le 2SD986.

Version SMD du transistor 2SB795

Le BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) et BSP62T3G (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB795.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB795

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB795 par 2SB1067, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB795, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G ou MJE712.
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