Transistor bipolaire KSB772-R

Caractéristiques électriques du transistor KSB772-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772R transistor

Brochage du KSB772-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB772-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du KSB772 est compris entre 60 à 400, celui du KSB772-G entre 200 à 400, celui du KSB772-O entre 100 à 200, celui du KSB772-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSB772-R

Le transistor NPN complémentaire du KSB772-R est le KSD882-R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB772-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSB772-R par 2N4918, 2N4918G, 2N4919, 2N4919G, 2SB743, 2SB743-R, 2SB744, 2SB744-R, 2SB744A, 2SB744A-R, 2SB772, 2SB772R, BD132, BD176, BD178, BD186, BD188, BD190, BD436, BD436G, BD438, BD438G, BD440, BD440G, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744-R, KSB744A, KSB744A-R, KSE170, KSE171, KSH772, KSH772-R, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE231, MJE232, MJE233, MJE234, MJE235 ou MJE370.
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