Transistor bipolaire KSB744-R

Caractéristiques électriques du transistor KSB744-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 45 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB744-R transistor

Brochage du KSB744-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB744-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du KSB744 est compris entre 60 à 320, celui du KSB744-O entre 100 à 200, celui du KSB744-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSB744-R

Le transistor NPN complémentaire du KSB744-R est le KSD794-R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB744-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSB744-R par 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, 2SB744, 2SB744-R, 2SB744A, 2SB744A-R, BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD438, BD438G, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744A, KSB744A-R, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251 ou MJE252.
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