Transistor bipolaire 2N4919G

Caractéristiques électriques du transistor 2N4919G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2N4919G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N4919G

Le transistor NPN complémentaire du 2N4919G est le 2N4922G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N4919G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N4919G par 2N4919, 2N4920, 2N4920G, MJE235, MJE252 ou MJE254.
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