Transistor bipolaire 2SB744-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB744-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 45 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB744-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB744-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB744 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB744-O entre 100 à 200, celui du 2SB744-Y entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB744-R peut n'être marqué que B744-R.

Complémentaire du transistor 2SB744-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB744-R est le 2SD794-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB744-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB744-R par 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, 2SB744A, 2SB744A-R, BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD438, BD438G, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744-R, KSB744A, KSB744A-R, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251 ou MJE252.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com