Transistor bipolaire BD538J

Caractéristiques électriques du transistor BD538J

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 50 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 75
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD538J

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BD538J peut avoir un gain en courant continu de 30 à 75. Le gain en courant continu du BD538 est compris entre 40 à 0, celui du BD538K entre 40 à 100.

Complémentaire du transistor BD538J

Le transistor NPN complémentaire du BD538J est le BD537J.

Substituts et équivalents pour le transistor BD538J

Vous pouvez remplacer le transistor BD538J par 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJF2955 ou MJF2955G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com