Transistor bipolaire 2SC1116

Caractéristiques électriques du transistor 2SC1116

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 180 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 50
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SC1116

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC1116 peut n'être marqué que C1116.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SC1116

Vous pouvez remplacer le transistor 2SC1116 par 2SC1079-Y, 2SC1116A, 2SC1585, 2SC1586, 2SC2337-Q, 2SC2337-R, 2SC2337-p, 2SC2337A-Q, 2SC2337A-R, 2SC2337A-p, 2SC2522, 2SC2522A, 2SC2523, 2SD424-O, 2SD425-O, 2SD426-O, 2SD555-Q, 2SD555-R, 2SD733-D, 2SD733-E, 2SD733-F, 2SD733K-D, 2SD733K-E, 2SD733K-F, 2SD745-Q, 2SD745-R, 2SD745A-Q, 2SD745A-R, 2SD745B-Q, 2SD745B-R, 2SD746-Q, 2SD746-R, 2SD746A-Q, 2SD746A-R, 2SD753-B, 2SD753-C, BDX65C, BDX67C, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11018, MJ11020, MJ11032 ou MJ11032G.
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