Transistor bipolaire 2SC1116
Caractéristiques électriques du transistor 2SC1116
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
- Tension collecteur-base maximum: 180 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 10 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 50
- Fréquence de transition minimum: 10 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2SC1116
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC1116 peut n'être marqué que
C1116.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC1116
Vous pouvez remplacer le transistor 2SC1116 par
2SC1079-Y,
2SC1116A,
2SC1585,
2SC1586,
2SC2337-Q,
2SC2337-R,
2SC2337-p,
2SC2337A-Q,
2SC2337A-R,
2SC2337A-p,
2SC2522,
2SC2522A,
2SC2523,
2SD424-O,
2SD425-O,
2SD426-O,
2SD555-Q,
2SD555-R,
2SD733-D,
2SD733-E,
2SD733-F,
2SD733K-D,
2SD733K-E,
2SD733K-F,
2SD745-Q,
2SD745-R,
2SD745A-Q,
2SD745A-R,
2SD745B-Q,
2SD745B-R,
2SD746-Q,
2SD746-R,
2SD746A-Q,
2SD746A-R,
2SD753-B,
2SD753-C,
BDX65C,
BDX67C,
BDX69C,
MJ11016,
MJ11016G,
MJ11018,
MJ11020,
MJ11032 ou
MJ11032G.
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