Transistor bipolaire 2SD555-R

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 200 V
• Tension collecteur-base maximum: 200 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 15 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD555-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD555 est compris entre 40 à 200, celui du 2SD555-Q entre 100 à 200, celui du 2SD555-S entre 40 à 80.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD555-R peut n'être marqué que D555-R.Le transistor PNP complémentaire du 2SD555-R est le 2SB600-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD555-R par 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1586, 2SD746A, 2SD746A-R, 2SD753, 2SD753-B, BUX48, BUX80, BUY69A, BUY69B, BUY69C, BUY70A, BUY70B, BUY70C, MJ10000, MJ10001, MJ15011 ou MJ15011G.