Caractéristiques électriques du transistor 2SD745A-Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
Tension collecteur-base maximum: 150 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 10 A
Dissipation de puissance maximum: 120 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 15 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3
Brochage du 2SD745A-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD745A-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD745A est compris entre 40 à 200, celui du 2SD745A-R entre 60 à 120, celui du 2SD745A-S entre 40 à 80.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD745A-Q peut n'être marqué que D745A-Q.
Complémentaire du transistor 2SD745A-Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SD745A-Q est le 2SB705A-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD745A-Q