Transistor bipolaire MJ11020

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 200 V
• Tension collecteur-base maximum: 200 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 175 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11020 est le MJ11019.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11020 par 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1586, BUX48, MJ11022 ou MJ11022G.