Transistor bipolaire MJ11018

Caractéristiques électriques du transistor MJ11018

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 175 W
  • Gain de courant (hfe): 400 à 15000
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du MJ11018

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJ11018

Le transistor PNP complémentaire du MJ11018 est le MJ11017.

Substituts et équivalents pour le transistor MJ11018

Vous pouvez remplacer le transistor MJ11018 par 2N6676, 2SC1585, 2SC1586, MJ11020, MJ11022 ou MJ11022G.
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