Transistor bipolaire 2SD745B-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD745B-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 120 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SD745B-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD745B-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD745B est compris entre 40 à 200, celui du 2SD745B-R entre 60 à 120, celui du 2SD745B-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD745B-Q peut n'être marqué que D745B-Q.

Complémentaire du transistor 2SD745B-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD745B-Q est le 2SB705B-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD745B-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD745B-Q par 2N6676, 2SC1586, 2SC2428, 2SC2523, 2SD555, 2SD555-Q, 2SD733K, 2SD733K-E, 2SD746, 2SD746-Q, 2SD746A, 2SD746A-Q, 2SD753, 2SD753-C, BUY69C ou BUY70C.
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