Transistor bipolaire 2SB951-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB951-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 45 W
  • Gain de courant (hfe): 4000 à 10000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB951-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB951-P peut avoir un gain en courant continu de 4000 à 10000. Le gain en courant continu du 2SB951 est compris entre 2000 à 10000, celui du 2SB951-Q entre 2000 à 5000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB951-P peut n'être marqué que B951-P.

Complémentaire du transistor 2SB951-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB951-P est le 2SD1277-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB951-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB951-P par 2N6040, 2N6040G, 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1225, 2SB1228, 2SB882, 2SB886, 2SB951A, 2SB951A-P, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD646, BD648, BD650, BD652, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD898, BD898A, BD900, BD900A, BD902, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54A, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029, MJE15029G, MJF6668, MJF6668G, TIP105, TIP105G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP135, TIP135G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP145T, TIP146T ou TIP147T.
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