Transistor bipolaire 2SB882

Caractéristiques électriques du transistor 2SB882

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB882

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB882 peut n'être marqué que B882.

Complémentaire du transistor 2SB882

Le transistor NPN complémentaire du 2SB882 est le 2SD1192.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB882

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB882 par 2SB1225, MJF6668 ou MJF6668G.
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