Transistor bipolaire 2SB1225

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1225

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1225

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1225 peut n'être marqué que B1225.

Complémentaire du transistor 2SB1225

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1225 est le 2SD1827.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1225

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1225 par 2SB882, MJF6668 ou MJF6668G.
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