Transistor bipolar BD535J
Características del transistor BD535J
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 50 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 75
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BD535J
Clasificación de hFE
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BD535J
Equivalent
- TO-126 package, BD442G: 36 watts
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