Transistor bipolar BD535J

Características del transistor BD535J

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD535J

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD535J puede tener una ganancia de corriente de 30 a 75. La ganancia del BD535 estará en el rango de 40 a 0, para el BD535K estará en el rango de 40 a 100.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD535J es el BD536J.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD535J

Puede sustituir el BD535J por el 2N6098, 2N6099, 2N6100, 2N6101, 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD203, BD303, BD537J, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJE2801T, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 o MJF3055G.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-126 package, BD442G: 36 watts
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