Transistor bipolar BDT95
Características del transistor BDT95
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 90 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 200
- Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDT95
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDT95
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