Transistor bipolar BDT95

Características del transistor BDT95

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT95

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDT95 es el BDT96.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT95

Puede sustituir el BDT95 por el BDT95F.
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