Transistor bipolar BD709

Características del transistor BD709

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 75 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 150
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD709

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD709 es el BD710.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD709

Puede sustituir el BD709 por el BD711, BD909 o BD911.
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